Technische Dokumente

Technische Dokumente: Schwerpunkt auf Bonden!

Quantum Computing

Schwerpunkt auf Bonden Laden Sie

Qubit compatible superconducting interconnects

Micro-tube insertion into aluminum pads: Simulation and experimental validations

IMAPS 2013 Schwerpunkt auf Bonden CEA – LETI, MINATEC Campus Laden Sie

9th International Conference and Exhibition on Device Packaging

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Low Temperature Bonding of High Density Large Area Array Interconnects for 3D Integration

IMAPS 2010 Schwerpunkt auf Bonden RTI International Laden Sie

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Electrical characterization of high count, 10 µm pitch, room-temperature vertical interconnections

Device Packaging 2009 Schwerpunkt auf Bonden CEA-LETI Laden Sie

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New Reflow Soldering and Tip in Buried Box (TB2) Techniques For Ultrafine Pitch Megapixels Imaging Array

ECTC 2008 Schwerpunkt auf Bonden CEA-LETI Laden Sie

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RF MEMS and flip-chip for space flight demonstrator

June 2009 Schwerpunkt auf Bonden Thales Alenia Space Laden Sie

Microbumping Technology for Hybrid IR detectors, 10µm pitch and beyond

EPTC 2014 Schwerpunkt auf Bonden IMEC Leuven, Belgium SOFRADIR Veurey-Voroize, France Singapore Laden Sie

Development done on Device Bonder to address 3D requirements in a production environment

IWLPC 2014 Schwerpunkt auf Bonden SET Saint-Jeoire, France San Jose, CA Laden Sie

Chip to wafer direct bonding technologies for high density 3D integration

ECTC 2012 Schwerpunkt auf Bonden CEA – LETI, MINATEC, STMicroelectronics, SET Laden Sie

High Density Interconnect Bonding of Heterogeneous Materials Using Non-Collapsible Microbumps at 10 μm Pitch

June 2014 Schwerpunkt auf Bonden RTI International Laden Sie

Die Attach Bonding using High-frequency Ultrasonic Energy for High-temperature application

June 2014 Schwerpunkt auf Bonden IME - Journal of Electronics materials (abstract) Laden Sie

Three Chips Stacking with Low Volume Solder Using Single Re-Flow Process

ECTC 2010 Schwerpunkt auf Bonden Institute of Microelectronics - A*STAR Laden Sie

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Fabrication and performance of InAs/GaSb-based superlattice LWIR detectors

SPIE Defense, Sensing & Security 2010 Schwerpunkt auf Bonden HRL Laboratories Laden Sie

Copyright 2010 SPIE

SET Technical Bulletin N°3

February 2010 Schwerpunkt auf Bonden CEA-Leti, IMEC, ITRI, IME-A*Star, RTI, etc... Laden Sie

Ultrathin 3D ACA FlipChip-In-Flex Technology

ECTC 2010 Schwerpunkt auf Bonden Berlin Technical University, NB Technologies and Fraunhofer IZM Laden Sie

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Wafer-level 3D integration with 5 micron interconnect pitch for infrared imaging applications

June 2014 Schwerpunkt auf Bonden RTI International Laden Sie

Chip to wafer copper direct bonding electrical characterization and thermal cycling

December 2013 Schwerpunkt auf Bonden CEA – LETI, MINATEC Campus Laden Sie

Insertion Bonding: A Novel Cu-Cu Bonding Approach for 3D Integration

ECTC 2010 Schwerpunkt auf Bonden IMEC and the Katholieke Universiteit Leuven Laden Sie

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Aluminum to aluminum Bonding at Room Temperature

ECTC 2013 Schwerpunkt auf Bonden CEA – LETI, MINATEC Campus Laden Sie

A 10 μm Pitch Interconnection Technology using Micro Tube Insertion into Al-Cu for 3D Applications

ECTC 2011 Schwerpunkt auf Bonden CEA – LETI, MINATEC, LEM3 –CNRS/UPV-M Laden Sie

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Low-Profile 3D Silicon-on-Silicon Multi-chip Assembly

ECTC 2011 Schwerpunkt auf Bonden IBM T.J. Watson Research Center Laden Sie

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Interconnect and bonding techniques for pixelated X-ray and gamma-ray detectors

7-12 September, 2014 Schwerpunkt auf Bonden UNIVERSITY OF SURREY, Guilford, Surrey, U.K. 10th International Conference on Position Sensitive Detectors Laden Sie

Embedded active device packaging technology for real DDR2 memory chips

IWLPC 2010 Schwerpunkt auf Bonden Industrial Technology Research Institute (ITRI) Laden Sie

Originally published in the IWLPC Proceedings

Results of the 2015 testbeam of 180 nm AMS High-Voltage CMOS sensor prototype

June 30, 2016 Schwerpunkt auf Bonden DPNC, University of Geneva, Switzerland Laden Sie

Toward a flip-chip bonder dedicated to direct bonding for production environment

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IWLPC October 24, 2017    SET, Saint-Jeoire, France

3D vertical integration of components is now an industrial reality. Considerations and results on direct bonding for HVM precise assembly are presented.

Evaluation of Sn-based Microbumping Technology for Hybrid IR Detectors, 10µm Pitch to 5µm Pitch

ECTC 2015 Schwerpunkt auf Bonden IMEC Leuven, Belgium SOFRADIR Veurey-Voroize, France Laden Sie

Development done on Device Bonder to address 3D requirements in a Production Environment

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IWLPC 2014 focus on bonding SET, Saint-Jeoire, France

Key to the success of 3D integration will be the ability to accurately align and bond devices with aggressive feature sizes

Technische Dokumente: Schwerpunkt auf Nano-Prägung!

UV nanoimprint lithography process optimization for electron device manufacturing on nanosized scale

November 2008 Schwerpunkt auf Nano-Prägung IISB Laden Sie

UV nanoimprint lithography process optimization for electron device manufacturing on nanosized scale

September 2008 Schwerpunkt auf Nano-Prägung IISB Laden Sie

UV nanoimprinting lithography using nanostructured quartz molds with antisticking functionalization

September 2008 Schwerpunkt auf Nano-Prägung IISB Laden Sie

UV nanoimprint lithography process optimization for electron device manufacturing on nanosized scale

November 2008 Schwerpunkt auf Nano-Prägung IISB Laden Sie

UV nanoimprinting lithography using nanostructured quartz molds with antisticking functionalization

September 2008 Schwerpunkt auf Nano-Prägung IISB Laden Sie

UV nanoimprint lithography process optimization for electron device manufacturing on nanosized scale

November 2008 Schwerpunkt auf Nano-Prägung IISB Laden Sie

NaPANIL „Library of Processes“

March 2012 Schwerpunkt auf Nano-Prägung NaPANIL Laden Sie

Second edition with results of the NaPANIL-project

NaPANIL „Library of Processes“

March 2012 Schwerpunkt auf Nano-Prägung NaPANIL Laden Sie

Second edition with results of the NaPANIL-project

NaPANIL „Library of Processes“

March 2012 Schwerpunkt auf Nano-Prägung NaPANIL Laden Sie

Second edition with results of the NaPANIL-project

Konferenzberichte

Opto-electronics flip-chip bonding automation and in-situ quality monitoring

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Aurélien Griffart from SET at EMPC – Pisa, Italy, September 16-19, 2019  

Flip-chip bonding: how to meet the high accuracy requirements ?

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Caroline Avrillier from SET at EMPC – Warsaw, Poland, September 10-13, 2017  

Process and Equipment Enhancements for C2W bonding in a 3D Integration Scheme

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Keith Cooper from SET North America at IWLPC 2011

3D-IC Integration using D2C or D2W Alignment Schemes together with Local Oxide Reduction

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Gilbert Lecarpentier from SET at Imaps Device Packaging 2011

Chip-to-Wafer Technologies for High Density 3D Integration

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Penned by CEA Leti, Minatec campus, CNRS Cemes, ALES, SET, ST Microelectronics and presented at MinaPad 2011

Flip-chip die bonding: an enabling technology for 3D integration

Konferenzberichte

Keith Cooper from SET North America at IWLPC 2010

Flip-Chip Assembly FPA

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Jean-Stéphane Mottet from SET at ORION – Moscow XXII International Conference Photoelectronics and Night Vision Devices, May 28th, 2014

Flip-chip assembly for focal plane array

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Pascal Metzger from SET at IST :GST – Mumbai, India, November 25-26, 2017  

Die-to-wafer bonding of thin dies using a 2-step approach: high accuracy placement, then gang bonding

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Gilbert Lecarpentier from SET at Imaps Device Packaging 2010

Die-to-Die and Die-to-Wafer Bonding solution for High Density, Fine Pitch Micro-Bumped Die

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Gilbert Lecarpentier from SET at Imaps Device Packaging 2012

Toward a flip-chip bonder dedicated to direct bonding for production environment

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Pascal Metzger from SET at IWLPC – San Jose, CA, USA, October 24-25, 2017  

High Accuracy Flip-Chip Equipement

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Nicolas Raynaud from SET at European 3D Summit – Grenoble, France, 18-20 January 2016

Development done on Device Bonder to Address 3D Requirements in a Production Environment

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Pascal Metzger from SET at IWLPC, San Jose, November 11-13, 2014

NIL Verfahrenstechnik

NPS300 Nano imPrinting Stepper

NIL Verfahrenstechnik

Produktionslösungen von Nanostrukturen mit geringen Kosten sind in Entwicklung, die die Antriebskräfte der Halbleiter-, MOEMS- und Optoelektronik-Technologie von morgen sein können. Insbesondere wurden Nano-Imprint-Lithographie (NIL) und ihre Variationen als eine kostengünstige Alternative zur hochauflösenden Elektronenstrahl-Lithographie entwickelt, um unterhalb 20 nm Größen zu drucken.

Prägung basiert sich auf dem Prinzip des mechanischen Pressens von dünner Polymerfolie mit einem Prägestempel mit dem Nanomuster in einem thermo-mechanischen oder UV-Härtung Prozess. Das gemusterte Polymer kann als ein Endgerät, z.B. Linse für Bildsensoren, Mikro-Chip für Strömungstechnik, biomedizinisches Array, usw. handeln. Es kann auch als hochauflösende Maske für Folgeschritte des Prozesses verwendet werden.

Prägung ist eine direkte Technologie der Lithographie. Es gibt drei grundlegenden Prozess-Schritten:

  • Den Prägungsstempel mit dem Substrat ausrichten, das vorbeschichtet mit Prägungsmaterial wurde
  • Den Prägungsstempel in das Prägungsmaterial drücken, um das Muster zu übertragen, das auf der Oberfläche der Prägungsstempels geschrieben ist
  • Den Prägungsstempel vom Prägungsmaterial trennen

Wir können drei Aufdrucken- oder Prägetechniken beschreiben: Heißprägung-Lithographie (HEL) mithilfe thermisches Plastikmaterials, UV-NIL mithilfe eines flüssigen Abdeckmittels, das dann mit UV-Licht nach dem Formen ausgehärtet wird, und Weiche Lithographie, die die Tinte, die zuvor auf einem weichen Stempel eingetragen ist, auf einem Substrat mithilfe eines Stanz-Verfahrens angewendet wird.