3D Zusammenschaltung

Kürzere Verbindungen, um elektrischen Widerstand zu vermindern, Reaktionszeiten zu verbessern, sowie Stromverbrauch und Gesamtabmessungen zu reduzieren, ist eines der Hauptziele der 3D-Integration.

3D-IC-Integration ermöglicht die Hochleistungsmontage von unterschiedlichen Systemen. Es gibt zahlreiche 3D-Verpackungslösungen, wie:

  •  Interposer,
  •  direktes Bonden Chip-zu-Chip oder Die zu-Die,
  •  Zusammenschaltung Chip-zu-Wafer.

Die Anforderung zur Genauigkeit der Platzierung variiert mit der Anwendung und der verwendeten Methode, um das Signal aus jedem Die zu bekommen. In der Zusammenschaltung Through-Silicon-Via (TSV) – Durchkontaktierung zwischen Chip- Lagen, liegt der Schwerpunkt der modernen Industrie. Die Optimierung des Durchmessers und der Teilung des TSV treibt die Forderungen nach höherer Platziergenauigkeit nicht nur entlang der X- und Y- Achsen, sondern auch nach der Parallelität zwischen den Chips an.

Bonden-Prozess

Hohe Genauigkeit nach dem Bonden und gute Parallelität zwischen jeder Schicht sind entscheidende Parameter für 3D-Aufstapeln. Mehrere Bonden-Prozesse, die mehr für 3D-Integration geeignet sind, finden Sie auf Flip-Chip Bonder von SET, wie:

  •  In-Situ aufschmelzen (in Situ Reflow)
  •  Thermokompression
  •  Adhäsives Bonden
  •  Direktes metallisches Bonden
  •  Usw.…