NEO HB


Mit einer Post-Bonding-Genauigkeit von ± 0.5 µm @ 3 σ im Stand alone-Modus oder vollautomatisch ist die NEO HB ein Flip-Chip-Bonder, konzipiert für die Produktion.
Mit der Kombination von hoher Präzision, Flexibilität und sehr kurzen Zykluszeiten, eignet sie sich ideal für Hybrid-/Direktbonding (Metall-Metall oder Oxid-Oxid) bei Raumtemperatur und geringer Kraft.
Klicken Sie hier, um das NEO HB-Datenblatt anzufordern.
Wichtigste Vorteile
- Vollautomatische Funktionen
- Benutzerfreundliche Oberfläche für mehrere Anwendungen und Prozesse
- Closed-Loop-System, um eine hohe Wiederholungsgenauigkeit der Aktionen zu gewährleisten
- Kompatibel vom Stand alone-Modus bis zum vollautomatischen Modus
- Kosteneffiziente Lösung
- Schnittstelle SECS/GEM, um sich mit dem Host-Computer zu verbinden
Anwendungen
- Hybrid / direct bonding (room temperature)
- Flip-chip bonding, die bonding
- Chip-to-wafer, wafer level applications
- Chip-to-substrate bonding
- Pick & Place
- Memory stacking
- 3D IC