NEO HB

Mit einer Post-Bonding-Genauigkeit von ± 0.5 µm (3 sigma) im Stand alone-Modus oder vollautomatisch ist die NEO HB ein Flip-Chip-Bonder, konzipiert für die Produktion.

Mit der Kombination von hoher Präzision, Flexibilität und sehr kurzen Zykluszeiten, eignet sie sich ideal für Hybrid-/Direktbonding (Metall-Metall oder Oxid-Oxid) bei Raumtemperatur und geringer Kraft.

 

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Wichtigste Vorteile

  • Vollautomatische Funktionen
  • Benutzerfreundliche Oberfläche für mehrere Anwendungen und Prozesse
  • Closed-Loop-System, um eine hohe Wiederholungsgenauigkeit der Aktionen zu gewährleisten
  • Kompatibel vom Stand alone-Modus bis zum vollautomatischen Modus
  • Kosteneffiziente Lösung
  • Schnittstelle SECS/GEM, um sich mit dem Host-Computer zu verbinden

Anwendungen

  • Hybrid / direct bonding (room temperature)
  • Flip-chip bonding, die bonding
  • Chip-to-wafer, wafer level applications
  • Chip-to-substrate bonding
  • Pick & Place
  • Memory stacking
  • 3D IC