工艺制程

直接/混合键合用于组装两个芯片之间的组装，具有三个主要优点:

• 较低的键合压力
• 可以在室温下实现键合
•  较短的工艺时间

但是，该工艺也对键合过程提出了一个即为苛刻的要求：键合芯片必须具备极其洁净的表面。

技术优势

该键合工艺过程在低压力和室温下实现，从而可以避免不同材料在键合过程中的热膨胀，最终实现高密度、高精度互连。

为了确保无孔洞键合，对准和键合步骤必须在无尘环境中进行。 这是通过在设备中使用特殊材料并仔细管理设备内部气流来实现的。

所有这些技术优势确保可以实现各类型3D集成工艺所需的高运行速度。

长久丰富的技术经验

2009年，SET公司参与了与CEA-Leti, ST-Microelectronics, ALES和 CEMES-CNRS的合作项目 PROCEED，该项目由Minalogic和法国政府支持。

在该项目中，SET成功验证了芯片–晶圆之间实现直接/混合键合的可行性，在一个经过特殊设计的FC300上，实现了< 1μm的键合结果。这一成功结果在多篇相关论文中均有提及。

2015年末，SET公司正式加入了IRT NANOELEC项目，目标是设计一款专用于直接/混合键合的高速-高精度倒装焊机，在PROCEED项目的基础上，SET公司设计了NEO HB，用于直接/混合键合工艺的批量生产。

2019年，SET公司在SEMICON Taiwan正式发布了NEO HB，满足了3D集成工艺对高运行速度的需求。